CN119907271A 一种平面栅mosfet结构及其制备方法 (浙江大学).pdfVIP

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  • 2026-06-18 发布于重庆
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CN119907271A 一种平面栅mosfet结构及其制备方法 (浙江大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119907271A

(43)申请公布日2025.04.29

(21)申请号202411850715.6H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

(22)申请日2024.12.16

(71)申请人浙江大学

地址310000浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

申请人国网浙江省电力有限公司电力科学

研究院

(72)发明人盛况王珩宇郭清张弛

王异凡曾明全孙明

(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限

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