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2026年光伏组件局部阴影遮挡效果仿真知识考察试题及答案

1.单项选择题（每题5分，共25分）

(1)在基于PSpice、Simulink平台开展光伏组件局部阴影遮挡效果仿真时，下列哪种模型最适配多旁路二极管导通、关断切换过程的精准伏安特性表征？

A.理想二极管等效模型

B.单二极管五参数工程模型

C.包含旁路二极管、阻塞二极管的分段式等效电路模型

D.双二极管七参数物理模型

参考答案：C

答案解析：理想二极管模型忽略了正向导通压降和反向漏电流，误差较大；单/双二极管参数模型主要针对无阴影遮挡下的整块组件特性表征，未考虑局部阴影下不同电池串被旁路后电路拓扑的动态变化，分段式等效电路模型可以针对每个被遮挡的子串动态切换旁路二极管的工作状态，适配局部阴影下多峰值P-V特性的仿真计算，因此选C。

(2)晶硅光伏组件局部遮挡仿真中，遮挡比例相同的情况下，下列哪种遮挡位置对组件输出功率的影响最大？

A.遮挡组件最上方1片电池片

B.遮挡同一电池子串内的连续3片电池片

C.均匀遮挡每个子串各1片电池片

D.遮挡不同子串各1片电池片

参考答案：B

答案解析：晶硅组件一般每18-24片电池串联为一个子串，配置1个旁路二极管，当同一子串内出现连续多片电池被遮挡时，该子串输出电压反向，会触发旁路二极管导通，整个子串的输出被完全遮蔽，损失远高于遮挡不同子串电池片的情况；即使遮挡比例相同，