CN119747843A 激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置 （浜松光子学株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119747843A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202411858749.X

(22)申请日2019.10.02

(30)优先权数据

2018-1893092018.10.04JP(62)分案原申请数据

201980065075.92019.10.02

H01L21/66(2006.01)

B23K26/70(2014.01)

(71)申请人浜松光子学株式会社地址日本

(72)发明人坂本刚志铃木康孝佐野育

(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限

公司11322

专利代理师杨琦黄浩

(51)Int.Cl.

B23K26/00(2014.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图17页

(54)发明名称

激光加工方法、半导体器件制造方法和检查

装置

(57)摘要

CN119747843A本发明的检查装置包括：支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台；输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源；使在半导体衬底中传播的光透射的物镜；检测从物镜透射的光的光检测部；和检查部，其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之间的检查区域中，检查从最靠近背面的改性区域向背面侧延伸