CN119744021A 一种背接触tbc电池的制备方法 （英利能源发展有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119744021A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411934476.2

(22)申请日2024.12.26

(71)申请人英利能源发展有限公司

地址071051河北省保定市朝阳北大街

3399号5号厂房227室

(72)发明人苏政马红娜赵学岭宾鹏帅孟灿周渊博王子谦郎芳

王红芳于波史金超刘莹麻超

(74)专利代理机构北京盛询知识产权代理有限

公司11901

专利代理师李骏

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

H10F77/30(2025.01)

权利要求书1页说明书8页附图6页

(54)发明名称

一种背接触TBC电池的制备方法

(57)摘要

CN119744021A本发明公开了一种背接触TBC电池的制备方法，属于太阳能电池领域。本发明的背接触TBC电池的制备方法包括以下步骤：对硅衬底进行抛光处理，并在背面依次形成第一隧穿氧化硅层、硼掺杂多晶硅层和硼硅玻璃层，去除非P区部分的硼硅玻璃层、硼掺杂多晶硅层和第一隧穿氧化硅层，然后依次制备第二隧穿氧化硅层、本征多晶硅层和磷硅玻璃层，然后通过激光刻蚀去除P区上的磷硅玻璃层、本征多晶硅层、第二隧穿氧化硅层，将N区部分的