CN119742227A 一种提高mos器件性能的方法 （上海华力集成电路制造有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742227A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202311254232.5

(22)申请日2023.09.26

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

地址201203上海市浦东新区康桥东路298

号1幢1060室

(72)发明人江辉云

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师戴广志

(51)Int.Cl.

H01L21/28(2025.01)

H10D64/66(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种提高MOS器件性能的方法

(57)摘要

CN119742227A本发明提供一种提高MOS器件性能的方法，提供功函数层；在所述功函数层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成金属层，所述金属层的材料为钨，所述金属层的厚度为3000A;刻蚀所述金属层、阻挡层以及所述功函数层形成栅极结构。本发明将传统22nm制程中栅极材料AL替换为钨，将AL栅下的粘合层Ti及阻挡层TiN替换为25A的阻挡层TiN，本发明大大降低MOS器件栅极电阻，提升沟道拉应力，从而提升NMOS

CN119742227A

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