CN119744049A 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 （江西兆驰半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119744049A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510245861.4

(22)申请日2025.03.04

(71)申请人江西兆驰半导体有限公司

地址330000江西省南昌市南昌高新技术

产业开发区天祥北大道1717号

(72)发明人舒俊高虹郑文杰张彩霞刘春杨胡加辉金从龙

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师王建宇

(51)Int.Cl.

H10H20/825(2025.01)

H10H20/812(2025.01)

H10H20/815(2025.01)

H10H20/01(2025.01)

H10H20/813(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图1页

(54)发明名称

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极

管

(57)摘要

CN119744049A本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的阱前保护层、量子阱层、阱后保护层和量子垒层；阱前保护层依次包括