CN119742228A 半导体装置与其制造方法 （鸿扬半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119742228A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202311359345.1

(22)申请日2023.10.19

(30)优先权数据

1121369092023.09.26TW

(71)申请人鸿扬半导体股份有限公司

地址中国台湾新竹市东区研新三路3号

(72)发明人姚景能陈彦儒陈盈佐

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师康艳青张铮铮

(51)Int.Cl.

H01L21/28(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

权利要求书2页说明书7页附图9页

(54)发明名称

半导体装置与其制造方法

(57)摘要

CN119742228A一种制造半导体装置的方式包含提供基板，在基板中形成第一沟槽，第一沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的底部宽度，在第一沟槽的一侧形成阱与源极区，源极区在阱上，沿着基板的表面形成硬遮罩堆叠，在硬遮罩堆叠中形成第二沟槽，且第二沟槽的底部位于第一沟槽的转角的上方，进行离子植入工艺，以在基板靠近第一沟槽的转角的区域形成遮蔽掺杂区，移除硬遮罩堆叠，沿着基板的表面形成栅极介电层，且栅极介电层覆盖遮蔽掺杂区，以及在第一沟槽中形