CN119744042A 一种半导体外延结构及其制备方法 （西湖烟山科技(杭州)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119744042A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202510229093.3

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人西湖烟山科技（杭州）有限公司

地址310030浙江省杭州市西湖区三墩镇

智强路428号云创镓谷研发中心6号楼5层

(72)发明人请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

专利代理师王婷

(51)Int.Cl.

H10H20/01(2025.01)

H10H20/815(2025.01)

H10H20/82(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种半导体外延结构及其制备方法

(57)摘要

CN119744042A本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法，半导体外延结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成第一导电类型半导体层，并对第一导电类型半导体层远离衬底一侧的表面进行图案化处理，形成三维结构阵列；对第一导电类型半导体层的表面进行等离子体活化处理；在第一导电类型半导体层远离衬底的一侧形成有源层；有源层的材料中包括In，在形成有源层的过程中，有源层的形成环境的温度大于或等于第一