CN120282517A 源区嵌入外延的功率mosfet器件及其制作方法 （重庆万国半导体科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120282517A

(43)申请公布日2025.07.08

(21)申请号202510377419.7

(22)申请日2025.03.27

(71)申请人重庆万国半导体科技有限公司

地址400713重庆市北碚区悦复大道288号

(72)发明人杨笠

(74)专利代理机构重庆乐泰知识产权代理事务

所(普通合伙)50221

专利代理师唐龙波

(51)Int.Cl.

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图9页

(54)发明名称

源区嵌入外延的功率mo