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NDS8934双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-24 发布于北京
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NDS8934双沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

    1996年3月

    N

    NDS8934

    双P沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些P沟道增强型功率场效应‑3.8A，‑20V。R=0.07@V=‑4.5V

    DS(ON)GS

    晶体管采用国家的专有高单元密度技术制造R=0.1@V=‑2.7V。

    这种度工艺特别适合于降低导通电阻，DS(ON)GS

    特别设计以最小化导通状态电阻，

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