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电子技术试题及详解

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

下列关于PN结正向导通特性的描述，正确的是

A.加正向电压时势垒区变宽，电流极小

B.加正向电压大于死区电压时，会产生较大的正向电流

C.正向导通时电流仅由少数载流子的漂移运动形成

D.正向导通时PN结呈现高阻状态

答案：B

解析：选项A错误，加正向电压时外电场抵消内电场，势垒区会变窄；选项C错误，正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成；选项D错误，正向导通时PN结呈现低阻状态。只有选项B符合PN结正向导通的特性。

常温下，普通硅二极管的正向导通压降典型值约为

A.0.2V

B.0.3V

C.0.7V

D.1.2V

答案：C

解析：选项A是锗二极管的死区电压典型值，选项B是锗二极管的正向导通压降典型值，选项D是普通发光二极管的正向导通压降典型值，只有选项C是硅二极管的正向导通压降典型值。

三极管要实现电流放大作用，需满足的外部偏置条件是

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：A

解析：选项B对应的是反向放大状态，几乎没有实用价值；选项C对应的是饱和区，不具备放大作用；选项D对应的是截止区，几乎没有电流通过。只有选项A是三极管放大区的偏置条件，可实现电流放大。

下列滤波电路中，滤波效果最好、输出电压最平稳的是

A.