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2026年fpga集成电路面试题及答案

一、基础架构与工艺演进类

1.2025年台积电3nm工艺量产的FPGA中，普遍采用了GAAFET（环绕栅极场效应管）替代FinFET，对比两种工艺下FPGA的核心参数差异，说明GAAFET对FPGA架构设计的核心影响。

答案：

两者核心参数差异如下：

参数维度

FinFET（7nm/5nm）

GAAFET（3nm）

栅极控制能力

沟道三面环绕，短沟道效应漏电≥1nA/μm

沟道四面环绕，短沟道效应漏电≤0.2nA/μm

核心工作电压

0.7-0.8V

0.55-0.65V

同面积下逻辑密度

基准值1x

1.8-2.2x

同频率下动态功耗

基准值1x

0