CN119764251A 一种半导体器件及制造方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764251A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510267655.3

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人刘在时宋富冉周儒领

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师张云鹏

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图7页

(54)发明名称

一种半导体器件及制造方法

(57)摘要

CN119764251A本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的半导体制造方法可以在隔离沟槽的沟槽内壁处形成保护层，从而在衬底被刻蚀时，基于保护层的刻蚀速率小于衬底的刻蚀速率而使保护层维持隔离沟槽的完整沟槽结构，以留存隔离沟槽的基本结构使其不会随衬底的刻蚀而被破坏。由此，基于前述保护层的保护，在半导体单元的源漏极区域形成的锗硅容纳结构不会破坏与其相邻的隔离沟槽，使隔离沟槽与锗硅容纳结构都具有完整的结构，保