CN119342870A 浮空P环岛的双沟槽SiC MOSFET器件及制备方法 （西安龙飞电气技术有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119342870A

(43)申请公布日2025.01.21

(21)申请号202411864361.0

(22)申请日2024.12.18

(71)申请人西安龙飞电气技术有限公司

地址710018陕西省西安市经济技术开发

区凤城十二路1号西安关中综合保税

区A区龙腾产业园

(72)发明人郑丽君曹琳刘青温建功

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230

专利代理师辛菲

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)