80V 76A 3.1mΩN沟道双Cool™功率沟槽MOSFET特性.pdfVIP

table{边框‑折叠:塌陷;}table,th,td{边框:1px实线#000;}

FDMS86300DC

N‑通道双CoolTM功率沟槽MOSFET

80V，76A，3.1mΩ

特性

双CoolTM顶部冷却PQFN封装最大rDS(on) = 3.

1mΩ在V = 10V,I = 24A最大r = 4.0mΩ

GSDDS(on)

在V = 8V,I = 21A高性能技术实现极低r

GSDDS(on)

100%UII测试符合RoHS

一般描述

这款N沟道MOSFET采用FairchildSemiconductor的先进PowerTrench®工艺制造。

硅技术和DualCoolTM封装技术的改进相结合，了最低的r，同时通过极低的

DS(on)

结至环境热阻保持了优异的开关性能。

应用

用于DC/DC转换器的同步整流器电信二

次侧整流高端服务器/Vcore

table{border-collapse:coll