CN119763509A 一种栅极控制的场序电路及方法 （成都九天画芯科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119763509A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510254745.9

(22)申请日2025.03.05

(71)申请人成都九天画芯科技有限公司

地址610000四川省成都市四川天府新区

兴隆街道集萃路619号天府海创园2-1

栋

(72)发明人张锦任浩

(51)Int.Cl.

G09G3/36(2006.01)

G09G3/34(2006.01)

权利要求书3页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种栅极控制的场序电路及方法

(57)摘要

CN119763509A本发明公开一种栅极控制的场序电路及方法，包括M行子电路，子电路包括补偿单元，补偿单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和预存储电容；第一晶体管的第一源漏极耦接至参考信号线，第一晶体管的第二源漏极耦接至预存储电容的一端和第三晶体管的第一源漏极，第二晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线；第三晶体管的栅极耦接至第二复位信号线，第三晶体管的第一源漏极还耦接至第四晶体管的栅极，第五晶体管的栅极耦接至第二复位信号线；第四晶体管的第一源漏极耦接至正电源电源线。本发明达到的有益效果是：通过利用晶体管的导通特性剔除阈值电压，从而

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