InGaAs_GaAs应变量子阱固态源分子束外延生长：原理、技术与应用.docxVIP

InGaAs/GaAs应变量子阱固态源分子束外延生长：原理、技术与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的庞大体系中，InGaAs/GaAs应变量子阱凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位，成为了半导体领域的研究焦点之一。应变量子阱是指由两种晶格常数不同的半导体材料交替生长形成的量子阱结构，由于晶格失配，在量子阱层中会产生应变，这种应变会显著改变材料的能带结构，进而赋予材料许多优异的光电性能。

InGaAs/GaAs应变量子阱在光电子器件领域展现出了巨大的应用潜力。以半导体激光器为例，InGaAs/GaAs应变量子阱作为有源区，能够有效降低激光器的阈值电流