CN119763649A eMCP芯片老化测试装置及其测试方法 （深圳市晶存科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119763649A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510266518.8

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人深圳市晶存科技股份有限公司

地址518000广东省深圳市福田区福保街

道福保社区市花路创凌通科技大厦三

层

(72)发明人刘孜谢登煌

(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205

专利代理师麦广林

(51)Int.Cl.

G11C29/56(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图6页

(54)发明名称

eMCP芯片老化测试装置及其测试方法

(57)摘要

CN119763649A本申请提出一种eMCP芯片老化测试装置及其测试方法，设置了分别与eMMC部分和LPDDR部分通信连接的嵌入式系统主机，首先，确定目标测试场景，根据目标测试场景确定目标测试性能参数；嵌入式系统主机根据目标测试性能参数对LPDDR部分进行测试操作，将LPDDR部分的第一测试结果存储至数据库或者外置存储器；eMMC控制器根据目标测试性能参数对NandFlash进行测试操作，得到eMMC部分的第二测试结果；在测试操作过程中，嵌入式系统主机将第一测试结果发送至eMMC控制器，eMMC控制器对第一测试结果和第二测试结果进行整