CN119764256A 半导体器件及其制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119764256A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510260244.1

(22)申请日2025.03.06

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人杨迪张晓亮

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师吴洋

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图3页

(54)发明名称

半导体器件及其制备方法

(57)摘要

CN119764256A本发明公开一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括下列步骤：提供衬底，衬底的顶部形成有第一中间结构层，以及沿垂直第一中间结构层顶面的第一方向贯穿第一中间结构层的第一金属结构；在第一中间结构层的顶面上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、第二中间结构层和硬掩模层；执行一体化刻蚀工艺，形成贯穿第二中间结构层的开口，直至露出第二刻蚀停止层；分步执行干法刻蚀工艺，以分别去除第二刻蚀停止层、第一刻蚀停止层，干法刻蚀工艺还用于去除部分硬掩模层；在开口中形成第二金属结构，第二金属结构与第一金属结构互连；执行化