CN119571304A 一种在金属钼表面原位制备二硫化钼薄膜的方法 (自贡东新电碳股份有限公司).pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约9.48千字
  • 约 9页
  • 2026-06-23 发布于重庆
  • 举报

CN119571304A 一种在金属钼表面原位制备二硫化钼薄膜的方法 (自贡东新电碳股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119571304A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411861896.2C23C8/80(2006.01)

C25B11/075(2021.01)

(22)申请日2024.12.17

C25B11/061(2021.01)

(71)申请人自贡东新电碳股份有限公司C25B11/052(2021.01)

地址643031四川省自贡市沿滩区荣川路

C25B1/04(2

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档