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CN119767708A 半导体结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-06-24 发布于山西
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CN119767708A 半导体结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119767708A

    (43)申请公布日2025.04.04

    (21)申请号202411379718.6

    (22)申请日2024.09.30

    (30)优先权数据

    18/375,5932023.10.02US

    (71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

    (72)发明人黄瑞乾王振印林威呈林高正廖思雅

    (74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理

    有限公司11409

    专利代理师章社杲李伟

    (51)Int.Cl.

    H10D30/01(2025.01)

    H10D

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