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纳米技术与产业发展手册（执行版）

第1章纳米材料制备与合成技术

1.1气相沉积与分子束外延技术

气相沉积技术（PVD）通过物理手段将材料从固态或液态转化为气态，再在基底上沉积成膜。例如，使用热蒸发源将钨粉加热至1500℃以上使其气化，随后在真空腔体内快速沉积到硅晶圆表面，厚度可达200nm以下，常用于制备高纯度的金属薄膜。分子束外延（MBE）技术利用超高真空环境，将源室、室室、室室等连续排列的源室分别通入不同元素的原子束，利用波片控制原子束的入射角度和能量，实现原子级精度的层状生长。例如，在生长砷化镓（GaAs）量子阱时，通过调节电子束能量至10eV左右，可精确控制晶格失配度的补偿，厚度误差控制在0.01nm以内。

物理气相沉积（PVD）中的溅射靶法通过高能粒子轰击靶材表面产生等离子体，使靶材原子溅射并沉积在基底上，其生长速率通常在0.1nm/s至1nm/s之间，适用于制备非晶合金或金属氧化物薄膜。磁控溅射利用磁场约束电子运动，显著增加电子与靶材的碰撞频率，使沉积速率提升至10nm/s以上，且薄膜致密度高，表面粗糙度Ra可控制在0.1nm以下，适合大规模工业量产。在制备氮化硅（Si3N4）绝缘层时，采用磁控溅射源，通过调节氩气和氨气流量比（Ar:NH3=10:1），可在900℃退火条件下形成厚度均匀且无针孔的薄膜，其介电常数约为