CN119689343A 基于镂空振子结构的磁电传感器及其制备方法 (西安交通大学).pdfVIP

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  • 2026-06-24 发布于重庆
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CN119689343A 基于镂空振子结构的磁电传感器及其制备方法 (西安交通大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119689343A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411862361.7

(22)申请日2024.12.17

(71)申请人西安交通大学

地址710049陕西省西安市碑林区咸宁西

路28号

(72)发明人刘明胡忠强吴金根乔佳诚

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任

公司61200

专利代理师朱海临

(51)Int.Cl.

G01R33/02(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

基于镂空振子结构的磁电传感器及其制备

方法

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