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- 2026-06-25 发布于北京
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探测器的基本原理;优选探测器的基本原理;3.1半导体基础;回忆.......;一、半导体的结构;1、电子的共有化运动;在半导体中,原子之间距离很近,使原子的各个壳层之间有不同程度的交叠。以硅和锗的共价键结构为例:;电子共有化运动的过程;2、能带结构(energyband);能带的宽度记作?E,数量级
为?E~eV。;离子间距;原子能级分裂成能带的示意图;;;;;;本征半导体的共价键结构;这一现象称为本征激发,也称热激发。;可见本征激发同时产生电子空穴对。
外加能量越高(温度越高),产生的电子空穴对越多。;自由电子带负电荷电子流;;(2).杂质半导体;n型半导体;;2.p型半导体;导带;;杂质半导体的示意图;二、热平衡条件下的载流子的浓度;若E=EF,则f(E)=1/2
故在绝对零度时,费米能级EF可看成量子态是否被电子占据的一个界限。
当光照射某种物质时,若入射的光子能量足够大,它和物质中的电子互相作用,致使电子逸出表面,这种现象称为外光电效应。
因搀杂(即使很少),会使导带中自由电子的浓度比同温下纯净半导体空带中的自由电子的浓度大很多倍,从而大大增强了半导体的导电性能。
当波长进一步减小时,吸收系数进一步增加,光子能量增大,激发的光生载流子大部分靠近材料表面附近,表面处的载流子复合率增加,光生载流子寿命减低,量子效率也随之下
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