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光伏发电技术与应用指南（执行版）

第1章光伏发电基础理论与技术原理

1.1光伏效应与半导体特性

光伏效应是指光照照射在半导体材料上时，光子能量大于半导体禁带宽度，激发电子从价带跃迁至导带，同时产生与电子等量反向移动的空穴，从而形成内建电场并驱动电流的现象。这是所有光伏电池的核心物理基础。在硅基半导体中，本征载流子浓度极低，因此必须引入掺杂来形成P型（空穴丰富）和N型（电子丰富）区域，两者结合形成PN结。PN结处存在由多数载流子扩散形成的内建电场，该电场阻止多数载流子进一步扩散，同时允许少数载流子在内建电场作用下漂移运动。

当外部光照入射到PN结时，光子能量被半导体吸收，产生电子-空穴对。这些光生载流子在内建电场作用下发生分离，电子被推向N区，空穴被推向P区，从而在PN结两侧形成光生电压，若电路闭合即可形成光生电流。半导体特性决定了光伏电池的光电转换效率上限。对于单晶硅，其禁带宽度约为1.12eV，这使得它在0.8-1.1eV的光谱范围内具有最强的光电响应能力，而红外线和紫外线部分则响应较弱。温度对半导体特性有显著影响，温度升高会导致本征载流子浓度指数级增加，同时降低禁带宽度，从而引起开路电压$V_{oc}$下降和短路电流$I_{sc}$略微上升，最终导致最大功率点电压$V_{mp}$和功率$P_{mp}$