量子点薄膜晶体管的研究.pdfVIP

第5卷第1期电子元器件与信息技术Vol.5No.l

2021年1月ElectronicComponentandInformationTechnologyJan.2021

量子点薄膜晶体管的研究

王成群

(阳明量子科技（深圳）有限公司研究部，广东深圳518103)

摘要：溶液加工法制备的胶体半导体量子点（QD)具有低成本和广泛应用于多种电子和光电器件的潜在优势，

但是QD表面用作防止团聚的长链配体反而大大降低了QDTFT的栽流子迁移率。论文介绍了量子点的制备和量子点

TFT的制备，总结了以硫醇、胺或金属硫族化物对QD表面的长链配体进行交换，向QD活性层掺杂In或Sn以增加栽流

子，以g族元素包覆QD钝化QD表面缺陷等方法对量子点TFT的载流子迁移率等性能的改善情况。近年来，量子点薄

膜晶体管（QDTFT)作为一种新型纳米器件引起了研究者的广泛关注。