CN119786493A 具有增厚层的半导体元件及其制造方法 （南亚科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786493A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202410595910.2

(22)申请日2023.12.13

(30)优先权数据

18/377,4132023.10.06US

(62)分案原申请数据

202311715290.32023.12.13

(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市

(72)发明人吴俊亨

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003

专利代理师李南山

(51)Int.Cl.

H01L23/528(2006.01)

H01L23/532(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图22页

(54)发明名称

具有增厚层的半导体元件及其制造方法

(57)摘要

CN119786493A本公开提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底；字元线结构，包括：字元线介电层，于基底中并有U形剖面轮廓；字元线导电层，下、上导电部，下导电部包括位于字元线介电层上且位于基底内，上导电部于下导电部上且于基底内；及字元线罩盖层，于字元线导电层上；下增厚层，有U形剖面轮廓，于下和上导电部间、上导电部和字元线介电层间、及字元线罩盖层和字元线介电层间；下罩盖层，于基底