中国SiN AMB基板正由进口替代迈向车规量产，2032年市场有望接近10亿美元。.docxVIP

中国氮化硅AMB陶瓷基板

中国氮化硅AMB陶瓷基板市场研究报告

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氮化硅AMB陶瓷基板（SiNAMBSubstrate，通常指Si?N?ActiveMetalBrazedSubstrate）是以氮化硅陶瓷片为绝缘、承载和热机械支撑层，通过活性金属钎焊工艺将铜箔/铜板与陶瓷基体高强度结合，并进一步形成导电线路、表面处理和单片/母板交付形态的功率半导体封装基板。其核心价值在于兼具高绝缘强度、高机械强度、高断裂韧性、较低热阻、良好热循环可靠性和较高载流能力，尤其适用于SiCMOSFET、SiIGBT等高功率密度模块。与传统DBC陶瓷基板相比，Si?N?AMB更强调高温循环、冷热冲击、厚铜承载和车规长期可靠性，因此在新能源汽车主驱逆变器、800V高压平台、DC/DC、OBC、轨交牵引、新能源发电及储能变流器等场景中价值更高。Ferrotec公开资料将AMB定义为采用活性钎料把铜板与AlN或Si?N?陶瓷结合并形成铜电路的基板，且可靠性和散热优于DCB；Heraeus也将Si?N?AMB列为其金属陶瓷基板组合中的高可靠方案，用于功率电子模块中的SiCMOSFET、SiIGBT和二极管连接与散热。

根据QYResearch半导体研究中心最新报告《中国及中国氮化硅AMB陶瓷基板市场现状及发展