半导体物理学课后习题第五六章答案详解.pdf

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半导体物理学课后习题第五章第六章答案

第五章习题

13-3,

1、在一个n型半导体样品中,过剩空穴浓度为10cm空穴的寿命为100us。

计算空穴的复合率。

已知:p1013

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