光电技术自测题试卷及答案.docxVIP

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  • 2026-06-27 发布于天津
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光电技术自测题试卷及答案

考试时间:______分钟总分:______分姓名:______

一、选择题(每题2分,共20分)

1.以下属于内光电效应的是()

A.光电发射效应

B.光生伏特效应

C.光电发射效应

D.热释电效应

2.半导体激光器(LD)与LED相比,主要特点是()

A.发光光谱宽

B.方向性好

C.阈值电流低

D.无相干性

3.光电二极管在反向偏置模式下,其光电流与入射光功率的关系是()

A.非线性

B.线性

C.指数关系

D.对数关系

4.CCD图像传感器与CMOS图像传感器的主要结构差异在于()

A.感光材料

B.电荷传输方式

C.像素形状

D.封装材料

5.He-Ne激光器的发光原理是()

A.自发辐射

B.受激辐射

C.电致发光

D.热辐射

6.光通量的单位是()

A.瓦特(W)

B.流明(lm)

C.坎德拉(cd)

D.勒克斯(lx)

7.光电倍增管(PMT)的主要优点是()

A.响应速度快

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