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200V 19A 170mΩN沟道增强型功率MOSFET特性与应用.pdf

200V 19A 170mΩN沟道增强型功率MOSFET特性与应用.pdf

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    仙童

    2013年3月

    FQP19N20C/FQPF19N20C

    N沟道QFETMOSFET

    200V，19A，170mΩ

    描述

    此N沟道增强型功率MOSFET采用FairchildSemiconductor的专有平面条纹和

    DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术特别针对降低导通电阻进行了优化，并

    了卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数

    校正（PFC）和电子镇流器。

    特性

    19A，200V，R = 170mΩ（最大

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