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集成电路原理题库及答案

一、选择题（每题2分，共40分）

1.下列关于半导体的描述中，错误的是：

A.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间

B.纯净的半导体称为本征半导体

C.半导体中载流子只有电子一种

D.温度升高时，半导体的导电能力增强

2.PN结形成后，空间电荷区中：

A.只有多数载流子

B.只有少数载流子

C.多数载流子和少数载流子都很少

D.多数载流子和少数载流子都很多

3.二极管正向导通时，其正向电压约为：

A.0.1-0.3V

B.0.5-0.7V

C.1-2V

D.3-5V

4.在双极型晶体管中，实现电流控制作用的主要机制是：

A.场效应

B.载流子注入

C.隧穿效应

D.热电子发射

5.MOSFET的栅极绝缘层通常采用的材料是：

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.多晶硅

D.金属

6.CMOS电路中，P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的主要区别是：

A.栅极材料不同

B.沟道材料不同

C.工作电压极性相反

D.尺寸大小不同

7.集成电路制造过程中，光刻技术的主要作用是：

A.形成电路图形

B.掺杂半导体

C.氧化硅层

D.金属布线