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集电考研专业试题及答案.doc

集电考研专业试题及答案.doc

    集电考研专业试题及答案

    一、单项选择题（每题2分，共20分）

    1.集成电路制造中，光刻工艺的主要目的是（）

    A.去除杂质B.定义电路图形C.提高导电性D.增强芯片强度

    2.以下哪种器件不属于双极型器件（）

    A.BJTB.MOSFETC.SCRD.IGBT

    3.集成电路设计流程中，逻辑综合是将（）转换为门级网表。

    A.行为级描述B.版图C.物理设计D.测试向量

    4.半导体材料硅的禁带宽度约为（）eV。

    A.0.7B.1.12C.1.43D.2.2

    5.在CMOS反相器中，当

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