Si基GaNHEMT功率电子器件研制开题报告.docx

研究报告

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Si基GaNHEMT功率电子器件研制开题报告

一、研究背景与意义

1.国内外研究现状

(1)近年来，随着全球能源需求的不断增长和环保意识的提升，高效、节能的功率电子器件成为研究热点。在国内外，Si基GaNHEMT功率电子器件因其优异的开关速度、低导通电阻和高热稳定性等特点，在电力电子领域展现出巨大的应用潜力。国外在Si基GaNHEMT器件的研究方面起步较早，技术成熟，已经实现了商业化生产。例如，美国英飞凌公司、日本三菱电机公司等均在这一领域取得了显著成果。国内研究起步较晚，但近年来发展迅速，在材料制备、器件设计与制备、性能测试等方面取得了显著进展。