CN119542329A 半导体结构及其制作方法和半导体器件 （长鑫科技集团股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119542329A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411834462.3

(22)申请日2024.12.12

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人刘小平徐丹黄铭辉

(51)Int.Cl.

H01L23/64(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

H10B80/00(2023.01)

权利要求书4页说明书15页附图12页

(54)发明名称

半导体结构及其制作方法和半导体器件

(57)摘要