第三次作业1、计算能量在到之间单位体积中的量子态数。解:导带底附近状态密度为:由状态密度定义:所以单位体积量子态数:两边积分:
第三次作业
第三次作业2、试证明实际硅、锗中导带附近状态密度公式为解:对半导体硅、锗,在它们的导带附近,等能面是旋转椭球面,选极值能量为则:椭球的解析表达式:椭球体积:
第三次作业状态密度:其中令
第三次作业3、i.在室温下,锗的有效态密度Nc=1.05
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