CN119826527A 一种SiC@SiO2纳米线粉体的制备方法及煅烧炉窑 （连云港新圣锦半导体材料有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119826527A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510332680.5

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人连云港新圣锦半导体材料有限公司

地址222100江苏省连云港市赣榆区柘汪

镇临港产业区烟台路（204国道向东500米）

(72)发明人史忠旗魏智磊许金桓

(74)专利代理机构连云港润知专利代理事务所32255

专利代理师娄凡凡

(51)Int.Cl.

F27B7/00(2006.01)

C01B33/18(2006.01)

C01B32/984(2017.01)

B82Y30/00(2011.01)

F27B7/20(2006.01)

F27B7/22(2006.01)

F27D15/02(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种SiC@SiO2纳米线粉体的制备方法及煅

烧炉窑

(57)摘要

CN119826527A本发明涉及煅烧炉窑技术领域，尤其涉及一种SiC@SiO2纳米线粉体的制备方法及煅烧炉窑，包括设备底座，所述设备底座上安装有煅烧炉窑主体，设备底座上连接固定设置有顶架，煅烧炉窑主体两侧均设置有防护罩，防护罩上连接固定设置有双向注气座，设备底座