CN119830773A 动态拥挤度优化的装备磁性元件设计方法、设备及介质 （中国人民解放军国防科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119830773A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510311448.3

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人中国人民解放军国防科技大学

地址410003湖南省长沙市开福区德雅路

109号

(72)发明人豆亚杰欧阳伟俊喻红云金坤邱枳然姚自豪王纪凯戴昱龙邓金科李嘉庆仇彪彪朱晨

李明浩陈航李际超孙建彬葛冰峰

(74)专利代理机构北京风雅颂专利代理有限公司11403

专利代理师汪涛

(51)Int.Cl.

G06F30/27(2020.01)

G06N3/126(2023.01)

G06F111/06(2020.01)

权利要求书3页说明书13页附图6页

(54)发明名称

动态拥挤度优化的装备磁性元件设计方法、

设备及介质

(57)摘要

CN119830773A本发明涉及一种动态拥挤度优化的装备磁性元件设计方法、设备及介质，包括：基于约束范围，通过随机编码生成初始种群；对初始种群中的每个个体进行磁芯损耗计算和传输磁能计算；根据计算结果对初始种群进行非支配排序，将个体分为非支配层，计算非支配层中每个个体的动态拥挤度，得到排序结果；基于排序结果，对初始种群