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真空镀膜工艺工程师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.真空度的国际单位制单位是______。

2.真空镀膜中最常用的PVD方法包括蒸发镀膜、溅射镀膜和______。

3.真空系统中获得高真空的主要设备是______。

4.磁控溅射靶材通常连接的是______（正/负）极。

5.镀膜过程中常用的保护气体或工作气体是______。

6.膜厚监测的常用方法有石英晶体振荡法和______。

7.真空镀膜中，基片温度过高会导致膜层______（选填：附着力下降/结晶细化）。

8.离子镀工艺中，离子轰击基片的作用是______和增强附着力。

9.真空镀膜设备中，用于隔离真空腔与大气的部件是______。

10.蒸发镀膜中，常用的蒸发源类型有电阻蒸发源和______。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下不属于真空镀膜方法的是（）

A.蒸发镀膜B.溅射镀膜C.电镀D.离子镀

2.高真空的真空度范围一般是（）

A.10?~102PaB.102~10?1PaC.10?1~10??PaD.10??Pa以下

3.磁控溅射中，磁场的作用是（）

A.提高靶材利用率B.降低沉积温度C.增加膜层厚度D.减少气体污染

4.蒸发镀膜中，若要沉积高熔点金属（如钨），应选用（）

A.电阻蒸发源B.电子束蒸发源C.高频感应蒸发源D.激光蒸发源

5.真空镀膜中，基片预处理的核心目的是（）

A.提