CN119831995A 半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质 （深圳市金鼎胜光电股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119831995A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510307915.5

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人深圳市金鼎胜光电股份有限公司

地址518000广东省深圳市宝安区石岩街

道浪心社区洲石路49号凯欣达科技园厂房一二层

(72)发明人陈新民王洁唐建明张桂英周正恩

(74)专利代理机构北京华艺德嘉知识产权代理

有限公司16326

专利代理师李斌

(51)Int.Cl.

G06T7/00(2017.01)

G06T5/20(2006.01)

G06T5/70(2024.01)

G06T7/136(2017.01)

G06V10/44(2022.01)

G06V10/764(2022.01)

G06V10/77(2022.01)

H01L21/66(2006.01)

G01N21/95(2006.01)

G01N21/88(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图2页

(54)发明名称

半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备

及存储介质

(57)摘要

CN119831995A本发明提供了一种半导体晶片表面缺陷检测方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：通过LED