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CN119815882A 沟槽型场效应晶体管及其制造方法 （上海瑞能微澜半导体科技有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-07-05 发布于重庆
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CN119815882A 沟槽型场效应晶体管及其制造方法 （上海瑞能微澜半导体科技有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119815882A

    (43)申请公布日2025.04.11

    (21)申请号202411837633.8

    (22)申请日2024.12.12

    (71)申请人上海瑞能微澜半导体科技有限公司

    地址200032上海市徐汇区枫林路420号2

    层A区

    (72)发明人王辉章剑锋

    (74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理

    有限责任公司11258

    专利代理师娜拉

    (51)Int.Cl.

    H10D30/66(2025.01)

    H10D30/01(2025.01)

    H10D64/27(2025.01)

    权利要求

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