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《碳化硅键合抛光片》标准立项修订与发展报告

2026001291-T-203碳化硅键合抛光片标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardforBondedSiliconCarbidePolishedWafers(2026001291-T-203)

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，在电力电子器件、射频器件及高温高压应用领域展现出显著优势。随着新能源汽车、智能电网、轨道交通等战略性新兴产业的快速发展，对高性能、大尺寸碳化硅衬底材料的需求日益迫切。然而，传统单晶碳化硅衬底存在制备成本高、尺寸受限、晶体缺陷密度较高等技术瓶颈，制约了碳化硅器件的规模化应用。碳化硅键合抛光片作为一种新型工程衬底材料，通过将高质量单晶碳化硅薄层键合至低成本支撑衬底上，实现了材料性能与成本效益的优化平衡。本报告围绕国家标准项目《碳化硅键合抛光片》（计划号：2026001291）的制定工作，系统阐述了该标准的立项背景、国内外技术发展现状、标准主要技术内容及其行业指导意义。标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（TC203）归口，其材料分会（SC2）执行，主管部门为国家标准委。标准主要起草单位包括广东天域半导体股份有限公司、青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司、上海天岳半导体材料有限公司、北京天科合达半导体股