《硅外延用碳化硅载盘》标准立项修订与发展报告.docxVIP

《硅外延用碳化硅载盘》标准立项修订与发展报告

GB/T2026001261-202X硅外延用碳化硅载盘标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardforSiliconCarbideSusceptorsforSiliconEpitaxialDeposition

摘要

本报告围绕国家标准项目《硅外延用碳化硅载盘》（计划号：2026001261）的制定工作，系统阐述了该标准的立项背景、技术内容、行业意义及未来展望。硅外延用碳化硅载盘是半导体外延生长工艺中的关键耗材，其性能直接决定晶圆外延层的均匀性、纯度和生产效率。随着我国半导体产业向大尺寸、高精度方向快速发展，对6英寸、8英寸及12英寸晶圆用碳化硅载盘的需求日益迫切，但长期以来国内缺乏统一的产品技术标准，导致产品质量参差不齐，制约了产业链的自主可控。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（TC203）归口，其材料分会（SC2）执行，旨在通过制定推荐性国家标准，规范碳化硅载盘的核心技术参数，包括抗折强度、热导率、热膨胀系数、开孔气孔率、密度、平均粒径、平均孔径等材料性能指标，以及碳化硅涂层的厚度允许偏差、纯度、平整度、表面金属杂质含量、径向电阻率变化等关键工艺参数。本报告详细分析了标准的技术内容，介绍了主要起草单位的行业地位与贡献，并总结了标准对提升我