CN119835991A 增强型hemt器件、制备方法、芯片以及电子设备 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835991A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411980500.6

(22)申请日2024.12.31

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

申请人西安电子科技大学广州研究院

(72)发明人李祥东余露张进成郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

专利代理师王丹

(51)Int.Cl.

H10D64/62(2025.01)

H10D64/64(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

增强型HEMT器件、制备方法、芯片以及电子

设备

(57)摘要

CN119835991A本申请公开了一种增强型HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备,该器件结构包括：衬底层，依次位于所述衬底层上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；钝化层，位于所述帽层的侧壁且位于所述势垒层的上表面；隔离结构，位于所述HEMT器件的侧壁，其中，隔离结构贯穿于所述势垒层和所述沟道层，且位