CN119835994A 半导体装置的形成方法 （青岛澳柯玛云联信息技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835994A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311305709.8

(22)申请日2023.10.10

(71)申请人青岛澳柯玛云联信息技术有限公司

地址266000山东省青岛市黄岛区太行山

路2号

(72)发明人请求不公布姓名

(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限

公司31295

专利代理师刘畅

(51)Int.Cl.

H10D84/03(2025.01)

H01L21/28(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

半导体装置的形成方法

(57)摘要

CN119835994A本发明涉及一种半导体装置的形成方法。所述形成方法中，在半导体结构的表面形成用于与硅反应的金属层后，在所述金属层覆盖含硅导电区的部分内掺杂硅，之后使所述金属层与所述含硅导电区中的硅以及所述金属层内掺杂的硅反应，在所述含硅导电区的表面区域形成自对准硅化物层，其中，金属硅化反应既在含硅导电区内进行，还在金属层内进行，从而可以获得较厚的自对准硅化物层，所述自对准硅化物层的顶表面相较于现有技术更高于所述含硅导电区，对于所述含硅导电区的影响较小，在形成暴露所述自对准硅化物层的接触孔时，工艺窗口较大，降低了所述接触孔的底部穿通所述自对