CN119833500A 半导体结构及其形成方法 （福建省晋华集成电路有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833500A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411975119.0

(22)申请日2019.09.29

(62)分案原申请数据

201910936710.82019.09.29

(71)申请人福建省晋华集成电路有限公司

地址362200福建省泉州市晋江市集成电

路科学园联华大道88号

(72)发明人詹益旺黄永泰游馨方晓培童宇诚

(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限

公司31295

专利代理师卢云芊

(51)Int.Cl.

H01L23/48(2006.01)

H01L23/528(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书1页说明书9页附图4页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119833500A本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过在互连结构的第一接触垫的侧边设置第二接触垫，如此，则在制备互连结构时，通过图形化处理以形成第一接触垫并不是孤立的暴露在一较大的空间区域中，而是在第二接触垫的保护下，避免了第一接触垫被过度解析的问题，有利于提高所形成的第一接触垫的图形精度，进而有

CN119833500A

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