CN119835978A 一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅vdmos及制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835978A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510308325.4

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人何佳陈彤周海胡臻

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/83(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图10页

(54)发明名称

一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备

方法

(57)摘要

CN119835978A本发明提供了一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成低阻区以及第一凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一阱区以及第二凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区及P型阱区；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成绝缘介质