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CN120210941A 一种导模周期掺杂晶体生长方法 （中材人工晶体研究院有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-07-07 发布于重庆
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CN120210941A 一种导模周期掺杂晶体生长方法 （中材人工晶体研究院有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120210941A

    (43)申请公布日2025.06.27

    (21)申请号202411844093.6C30B15/30(2006.01)

    C30B27/02(2006.01)

    (22)申请日2024.12.15

    C30B15/28(2006.01)

    (71)申请人中材人工晶体研究院有限公司C30B33/02(2006.01)

    地址100018北京市朝阳区东坝红松园1号

    H01S3/16(20

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