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薄膜热电偶温度测量规范

薄膜热电偶温度测量规范

一、薄膜热电偶温度测量系统的选型、基底预处理与传感器安装固定规范

（1）薄膜热电偶的类型选择与测温范围匹配。薄膜热电偶温度测量规范首先要求根据被测对象的温度区间、表面材质、工作环境气氛及响应速度要求合理选择热电偶薄膜材料体系。常见薄膜热电偶类型包括镍铬-镍硅（NiCr/NiSi，类K型，适用-50℃～600℃，短时可达800℃）、铂-铂铑（Pt/PtRh，类S型或R型，适用0℃～1300℃甚至更高至1600℃）、钨-铼（W/Re，适用0℃～2000℃还原性气氛或真空，空气中高于500℃需加抗氧化保护层）、铜-康铜（Cu/Constantan，类T型，适用低温-200℃～350℃）以及新型陶瓷基薄膜热电偶如ITO/In?O?或SiC基复合薄膜热电偶用于超高温抗氧化场合。选用时应核查薄膜热电偶制造商提供的分度特性说明，由于溅射沉积过程中薄膜成分可能存在微量偏析及尺寸效应，薄膜热电偶的塞贝克系数通常略异于同材质块体标准热电偶，故不得直接套用GB/T16839.1-2018中标准热电偶分度表进行温度解算，必须以该批次传感器单独标定所得的热电势-温度关系曲线或拟合公式作为测量依据。对于表面瞬态温度测量，还应确认薄膜总厚度一般控制在0.5μm～10μm之间，基底热导率与被测表面相匹配，以避免因热阻失配引入较大测温滞后或梯度误差。

（2）