CN119833239A 超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法 （长飞光纤光缆股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833239A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510301416.5

(22)申请日2025.03.14

(71)申请人长飞光纤光缆股份有限公司

地址430074湖北省武汉市东湖高新技术

开发区光谷大道九号

申请人武汉长飞通用电缆有限公司

(72)发明人史文凯王念立李申月邱石张乐

(74)专利代理机构武汉华之喻知识产权代理有限公司42267

专利代理师曹葆青

(51)Int.Cl.

H01B11/18(2006.01)

H01B13/016(2006.01)

H01B13/14(2006.01)

H01B7/02(2006.01)

H01B7/18(2006.01)

H01P11/00(2006.01)

H01P3/06(2006.01)

H01Q13/08(2006.01)

H01Q13/20(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图1页

(54)发明名称

超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及

其制备方法

(57)摘要

CN119833239A本申请属于无线通信技术领域，更具体地，涉及一种超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法。本申请采用三层共挤技术制备泡沫层，通过工艺